微發光二極體陣列(Micro LED Array)以定址驅動

寬能隙（Wide Bandgap）氮化镓半導體（GaN）及其相關化合物半導體材料廣泛應用於照明和各種光電元件。氮化镓發光二極體（GaN led）發光波長的未來，發光波長將完全取代傳統的白熾燈泡和熒光燈作為照明光源。

另一個潛在的光電元件是微光電陣列元件（Micro Optoelectronic Device），這個組件集成成千上萬像發光體（Emitter）、偵測器（Detector）、光學開關（OpTIcal Switch）或光波導（OpTIcal Waveguide）在單晶片上等待微型元件。工業研究院預計未來微光電陣列元件將顯示和生醫感知（Biosesensor）、光通信或光纖通信，光互連 （Interconnect）及訊號處理（Signal Process）在該領域發揮重要作用。

微發光二極體陣列（Micro LED Array）以定址驅動技術為顯示器，除了具有LED其自發光顯示-無背光源，具有節能、機構簡單、體積小、反應時間快等優點。Micro LED與同樣是自發光的有機發光二極體相比（OLED）材料穩定性好，使用壽命長，無影像烙印等問題，其獨特的高亮度特性應用於投影顯示，如微投影（Pico ProjecTIon）、頭戴式光學透視顯示器（See-through HMD）、抬頭顯示器（Head-up Display，HUD）等等，更有競爭力。另外，奈秒（Nano Second）等級的高速響應特性使LED除了三維(3)D）顯示外，作為智能顯示器的可視光無線通信功能，可以高速調變和承載信號。

Micro LED技術塬理

Micro LED微顯示器的晶片表麵必須像LED像顯示器一樣的陣列結構，每個點畫素（Pixel）必須由定址控製，並由單獨驅動點亮。如果通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）電路驅動是主動定位驅動架構，Micro LED陣列晶片與CMOS通過封裝技術，如覆晶封裝（Flip Chip Bonding）形成電性連接。Micro LED通過整合微透鏡陣列（Microlens Array），提高亮度和對比度。Micro LED微顯示晶片，Micro LED陣列通過垂直交錯的正負格柵電極（P-metal Line N-metal Line）連結每一顆Micro LED正負極通過電極線依次通電，通過掃描點亮Micro LED顯示圖像。主動驅動顯示器比被動矩陣驅動更節能，反應速度更快。向來是高解析顯示器主流驅動方式。

1 Micro LED被動定址陣列架構示意和晶片照片

Micro LED迫切需要突破技術挑戰

Micro LED（《50微米（